大功率商用电磁炉IBGT实质上是一个场效应晶体管，仅仅在漏极和漏区中间多了一个P型层。依据国际电工委员会的文档提议，其各一部分名字基础延用场效应晶体管的相对取名。

结构类型类似MOSF云连，其不同之处取决于igbt模块是在VDMiQ（竖直沟道MOS管，别称输出功率MOS管）的N+基钢板（漏极）上提升了一个P+基极（igbt模块的集电极），产生PN结J1，并从而引出漏极（d）、栅极（g）和源极（s）。

从构造上看，igbt模块等于一个N沟道MOSF云连（场效应晶体管）驱动器的厚基区PNP型GTR（电力工程三极管），其简单化等效电路。Rdr为GTR厚基区域内的扩展电阻。igbt模块是以GTR为核心件、MOSF云连驱动器件的复合结构。习惯性上，有时候也将igbt模块源极引出的电极端化称之为发送极端化（e）漏极引出的电极端化称之为集电极端（c）。

除所述的N沟道igbt模块外，也有一种为P沟道igbt模块，在商用电磁炉中，N沟道igbt模块比较普遍。

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